Diferencia entre revisiones de «transistor bipolar»

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(''<span style="color: green;">bipolar transistor</span>'') ''Fís[[Category:Física]].'' Dispositivo electrónico activo formado por dos uniones PN que se encuentran muy próximas (alrededor de 1&nbsp;μm) dentro de un cristal semiconductor, por lo que presenta tres regiones, denominadas ''emisor'', ''base'' y ''colector'', en las que se conectan sus tres terminales exteriores. En su funcionamiento intervienen los dos tipos de portadores: electrones y huecos. En la actualidad es uno de los dispositivos electrónicos más importantes, ya que constituye el elemento básico de multitud de aplicaciones (amplificadores de señal, osciladores, etc.)
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(''<span style="color: green;">bipolar transistor</span>'') ''Fís[[Category:Física]].'' Dispositivo electrónico activo formado por dos uniones PN que se encuentran muy próximas (alrededor de 1&nbsp;μm) dentro de un cristal semiconductor, por lo que presenta tres regiones, denominadas ''emisor'', ''base'' y ''colector'', en las que se conectan sus tres terminales exteriores. En su funcionamiento intervienen los dos tipos de portadores: electrones y huecos. En la actualidad es uno de los dispositivos electrónicos más importantes, ya que constituye el elemento básico de multitud de aplicaciones (amplificadores de señal, osciladores, etc.).

Revisión actual del 16:48 22 oct 2020

transistor bipolar

(bipolar transistor) Fís. Dispositivo electrónico activo formado por dos uniones PN que se encuentran muy próximas (alrededor de 1 μm) dentro de un cristal semiconductor, por lo que presenta tres regiones, denominadas emisor, base y colector, en las que se conectan sus tres terminales exteriores. En su funcionamiento intervienen los dos tipos de portadores: electrones y huecos. En la actualidad es uno de los dispositivos electrónicos más importantes, ya que constituye el elemento básico de multitud de aplicaciones (amplificadores de señal, osciladores, etc.).