transistor de efecto campo metal-óxido-semiconductor
De vctrac
Revisión del 11:54 20 ene 2020 de Maintenance script (Discusión | contribuciones) (Imported from text file)
transistor de efecto campo metal-óxido-semiconductor
(metal-oxide-semiconductor field effect transistor) Fís. Transistor de efecto campo de puerta aislada en el que la capa de dieléctrico es dióxido de silicio (SiO2). En la actualidad es el transistor de efecto campo de puerta aislada más importante, debido al creciente desarrollo tecnológico de las estructuras MOS (metal, óxido, semiconductor). Sinón.: transistor MOS.
