Diferencia entre revisiones de «transistor de efecto campo de puerta aislada»
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Revisión actual del 17:01 29 mar 2023
transistor de efecto campo de puerta aislada
(insulated gate field effect transistor) Fís. Transistor de efecto campo que posee una capa muy delgada (del orden de micrómetros) de material dieléctrico entre el canal y el terminal de puerta. Se caracteriza por presentar un canal muy estrecho y casi superficial, situado en las proximidades de la interfase dieléctrico-semiconductor.
