Diferencia entre revisiones de «transistor de efecto campo metal-óxido-semiconductor»
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Revisión actual del 10:54 20 ene 2020
transistor de efecto campo metal-óxido-semiconductor
(metal-oxide-semiconductor field effect transistor) Fís. Transistor de efecto campo de puerta aislada en el que la capa de dieléctrico es dióxido de silicio (SiO2). En la actualidad es el transistor de efecto campo de puerta aislada más importante, debido al creciente desarrollo tecnológico de las estructuras MOS (metal, óxido, semiconductor). Sinón.: transistor MOS.
